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Guillot, J.*; Beaumel, D.*; Van den Berg, A. M.*; Brandenburg, S.*; Davids, B.*; Fortier, S.*; 藤原 守; Gals, S.*; Harakeh, M. N.*; Hunyadi, M.*; et al.
Nuclear Physics A, 731, p.106 - 113, 2004/02
被引用回数:4 パーセンタイル:30.85(Physics, Nuclear)超伝導サイクロトロンAGORで新しく開発された130MeVトリチウムビームを用いてCoのアイソベクトル型巨大共鳴を研究した。角度分布が測定され、その微分断面積をDWBA解析した。単極子共鳴が1027Mevに分散して存在していることがわかった。理論計算とかなり一致している。
石川 貴嗣*; 秋宗 秀俊*; 大東 出*; 藤村 寿子*; 藤田 佳孝*; 藤原 守; 畑中 吉治*; 細野 和彦*; 井原 史智*; 伊藤 正俊*; et al.
Nuclear Physics A, 187(1-2), p.58c - 63c, 2001/04
Niの励起エネルギー8~33MeVでの巨大共鳴を(p, p')反応で研究した。0で観測し、幅のひろいピークを観測した。スピン反転、スピン非反転の状態を区別することが偏極ビームでの偏極観測量を測定することで可能となった。測定結果から単極子巨大共鳴の励起強度を求めた。励起エネルギー17.6MeVで巾3.9MeVの単極子共鳴は70~90%のE和則にあることがわかった。
若井 栄一; 橋本 直幸*; 芝 清之; 三輪 幸夫; J.P.Robertson*; R.L.Klueh*
Fusion Materials, 313(25), p.161 - 169, 1999/04
F82Hに対し、BやNiのアイソトープを添加した材料を用いて、ヘリウム生成量に対するスエリング挙動を調べた。中性子照射は米国HFIR炉において300と400Cで約51dpaまで行った。照射後、透過型電子顕微鏡により微細組織を観察した。400C照射ではF82Hの標準材のスエリング量は約0.6%であり、F82H+(311appm)natural BとF82H+(325apm)B材ではそれぞれ、約0.9%と1.1%であった。またF82H+1.4%Ni及びF82H+1.4%Ni材ではそれぞれ0.02%と0%であった。他方Ni添加材では高密度の析出物が形成した。一方、300C照射ではヘリウム発生量の多いF82H+BとF82H+Niでのみ微小なキャビティがわずかに観察され、そのスエリング量は0.02%以下であった。これらの結果からヘリウムの発生量はF82H鋼のスエリングに大きな影響を及ぼすことが明らかとなった。また、Ni添加材における400C照射の低いスエリングの原因は高密度の析出物の形成がキャビティの形成、成長過程に著しい影響を与えたためと考えられる。
島川 聡司; 小森 芳廣; 長尾 美春; 桜井 文雄
JAERI-Tech 95-023, 26 Pages, 1995/03
材料試験炉における中性子スペクトル調整照射に関する検討の一環として、一定照射量(dpa)に対する304ステンレス鋼のヘリウム生成量制御範囲に対する検討を実施した。検討にあたっては、主に熱中性子によって起こるNi(n,)Ni(n,)Fe反応を利用して制御を行うものとし、(1)可能な限り熱中性子をカットした照射、(2)標準的な照射、(3)熱中性子を増加させた照射を対象とした。これらのキャプセルを200日間照射した場合(2dpa)、304ステンレス鋼中のヘリウム生成量は、1.4appmから24appmの範囲に制御できることがわかった。このときのHe/dpaの制御範囲は0.7~12である。この検討結果から、ニッケルを含む材料に対する高度な照射試験により、異なるヘリウム生成量に対する照射データが得られ、材料試験炉を用いたヘリウム効果に注目した照射研究の可能性が明らかとなった。
長尾 美春; 島川 聡司; 小森 芳廣; 桜井 文雄
JAERI-Tech 95-006, 46 Pages, 1995/02
JMTRのような混合スペクトルをもつ試験炉においては、熱中性子束を調節することにより、高速炉や核融合炉等での照射効果を模擬した照射試験のほか、材料の基礎基盤研究における中性子スペクトル効果の究明等のために照射試験が可能である。核融合炉材料の照射試験を行う場合には、He生成量とはじき出し損傷量の比(He/dpa)を照射効果の指標とし、その比を核融合炉での値に模擬する方法が採用されている。本報告では、JMTRにおける中性子スペクトル調整照射の検討の一環として、ステンレス鋼(SUS316)を核融合炉条件(He/dpa=15)で照射するための制御能力について検討した。本解析にあたり、SUS316の構成元素Niの熱中性子2段反応Ni(n,)Ni(n,)Feによって生成するHeを評価するため、計算プログラムNIHEを作成した。解析の結果、照射孔の移動と軽水リングの使用によるスペクトル調整を組合せて行うことにより、He/dpa=13~15の範囲内に制御した照射が可能であることがわかった。
神谷 富裕; 宇都宮 伸宏*; 峰原 英介; 田中 隆一; 大村 三好*; 河野 和弘*; 岩本 英司*
Proceedings of the International Conference on Evolution in Beam Applications, p.286 - 291, 1992/05
重イオンマイクロビーム装置が開発され、3MVタンデム加速器のビームライン上に設置された。主な用途は、宇宙船で使用される半導体素子のシングルイベントアップセットの基本的な機構を解明するためである。1m以内の位置精度で狙った位置にイオンを1個1個ヒットさせるべく本装置は設計された。本装置は2つの光学系によって構成されており、1つが前段レンズ系で、ターゲット電流を100pAから0.1pA以下まで極めて広いレンジで制御するためのものであり、もう一つが、1mのビームスポット径を得るための精密レンズ系である。現在Ni15MeVのビームを用いたテスト実験が開始された。ここでは、本装置の概要と、現在までに得られた実験結果について報告する。
T.スエヒロ*; Y.イシザキ*; H.オガタ*; J.コカメ*; Y.サジ*; A.Stricer*; Y.スギヤマ*; I.ノナカ*
Physics Letters B, 33(7), p.468 - 470, 1970/12
被引用回数:28抄録なし